（原标题：三星芯片，孤注一掷）
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来源：内容编译自businesskorea。
三星电子第二季度业绩下滑主要源于其半导体业务的糟糕表现，该业务占其整体利润的50-60%。高带宽存储器（HBM）等高容量、高附加值存储器产品由于持续存在的技术问题，未能从蓬勃发展的人工智能（AI）领域中获益。晶圆代工（代工芯片制造）和系统LSI业务也因未能获得主要客户而持续大幅亏损。然而，随着英伟达HBM在第三季度获得量产批准的可能性增加，以及上半年积累的存储器库存得以清理，业绩反弹的预期正在增强。
据业内人士7月8日透露，三星电子设备解决方案部门（DS）预计第二季度销售额将达到27万亿韩元，营业利润约为1万亿韩元。一些金融投资业内人士认为，DS部门的营业利润可能会降至4000亿韩元。
最痛点在于HBM需求未能得到满足。去年，三星电子未能向全球最大的AI芯片公司英伟达供应第五代HBM（HBM3E），今年又未能按时交付12层产品，导致性能没有显著提升。
本季度存货估价损失准备的反映也是业绩下滑的主要原因。业界估计，DS部门的存货估价损失准备约为1万亿韩元。存货估价损失准备是一种成本概念，反映的是产品价格（库存价值）下降且预计无法恢复其原始市场价格时预期价值的下降。其目的是通过将那些被认为难以销售或可能难以销售的产品反映在存货估价损失准备中，预先应对潜在的危机因素。为了及时供应而提前生产的HBM3E 12层产品被认为属于此类。
预计晶圆代工和系统LSI业务部门本季度也将录得约2万亿韩元的亏损。尽管晶圆代工部门采用8纳米（纳米，十亿分之一米）工艺为任天堂Switch 2生产核心芯片，系统LSI业务部门也为新款折叠屏手机Galaxy Z Flip7供应移动应用处理器（AP）Exynos 2500，但由于未能成功争取到大客户，这些部门已连续几个季度亏损。
不过，业内观察人士认为，三星电子可能在今年第二季度触底，并从第三季度开始反弹。
由于DDR4等老款内存和高端内存价格上涨，市场对业务改善的预期日益增强，而下半年又被列为IT设备和半导体需求的旺季。证券公司预测，DS部门第三季度和第四季度的营业利润将分别达到3万亿至5万亿韩元。
近期，面向AMD、博通等全球大型科技公司的HBM出货量有所增加，代工业务也已开始量产2nm芯片，大型科技公司订单潜力增大。随着系统LSI业务进入季节性旺季以及Exynos 2500销量的增长，预计亏损将有所减少。
进入Nvidia供应链也值得关注。除了HBM3E 12层产品的供应外，还计划加快HBM4（第六代）产品的量产。
在NAND领域，预计该公司将继续推行供应调整政策，同时专注于企业级固态硬盘（SSD）等高价值产品。一位业内人士表示：“从下半年开始，库存风险预计将下降，随着对Nvidia以外客户的HBM供应量扩大，业绩有望改善。”
此外，最先进的DRAM——10nm级第六代DRAM的量产也备受期待。三星电子已完成内部生产许可（PRA），并准备从下半年开始进行大规模的设备投资。
随着IT旺季的全面到来，消费电子和显示器业务预计将迎来业绩复苏。预计消费电子业务第二季度销售额将达到14-15万亿韩元，营业利润约为3000亿韩元。这归因于第一季度关税征收和预购导致的需求下降。不过，预计电视和家电业务第三季度的营业利润将达到6000亿韩元左右，受益于旺季效应。美国唐纳德·特朗普政府的关税政策仍是一个变数。
三星电子旗下三星显示器公司预计第二季度销售额将达到6万亿韩元左右，营业利润将达到5000亿韩元左右。下半年，随着主要客户推出新产品，证券业预计营业利润将突破1万亿韩元。
三星完成第六代 DRAM 的开发
三星电子已完成基于先进 10 纳米级工艺的第六代 DRAM 的开发，距离量产下一代 HBM4 内存更近一步。
据业内消息人士此前透露，这家科技巨头上月底完成了第六代 DRAM 的开发，并获得了生产准备批准，这是一个重要的内部里程碑，表明该产品符合大规模生产准备的所有标准。
10 纳米级 DRAM 制程技术已逐代演进，从第一代发展到第六代。每一代技术都实现了更精细的电路，从而提升了性能和能效。
三星此前曾于2022年12月宣布开发第五代DRAM，并于次年5月开始量产。这一最新里程碑标志着其在工艺扩展方面取得了约两年的进展。
三星的第六代 DRAM 开发因其高带宽内存业务而备受关注。这家科技巨头计划在今年下半年实现基于第六代 DRAM 的 HBM4 的量产。HBM4 有望成为人工智能时代的关键组件，显著提升数据处理速度和能效。
三星的同城竞争对手SK海力士目前在HBM市场处于领先地位，目前正在开发采用第五代DRAM的HBM4。据报道，该公司早在3月份就已向主要客户提供了HBM4样品，并计划在今年下半年实现量产。
随着三星完成第六代 DRAM 的开发，市场关注点转向该公司是否会很快交付 HBM4 样品并通过 Nvidia 的资格测试，这是获得大批量订单的关键基准。
三星还在等待其 12 层 HBM3E 的认证。
随着 HBM 领导地位之争愈演愈烈，第六代 HBM4 的成功商业化可能成为三星在高端内存市场重获动力的关键。
最近，三星开始向 AMD 供应其 12 层 HBM3E，据报道，该公司也在寻求与英伟达达成供应协议。该公司还与多家客户合作开发定制的 HBM4 产品，预计该产品将从明年开始为公司带来收入。
三星押注 Nvidia 重夺 HBM 领先地位
负责三星电子半导体业务的副董事长此前全永铉已前往美国与 Nvidia 会面，这引发了人们对三星可能缩小与竞争对手的差距并赢得高带宽内存芯片新订单的预期。
据业内人士透露，Jun早前访问了英伟达，商讨三星第五代HBM3E 12层产品如何为这家GPU制造商的Blackwell Ultra GB300供货，以及双方的代工合作关系。此次访问硅谷距离他五月初的类似访问不到两个月。
HBM 芯片是提升 AI 处理器性能的关键组件。SK 海力士和美国美光科技等规模较小的竞争对手已经向英伟达（其先进内存产品的最大客户）供应了最新的 HBM3E 12 层芯片，并在此过程中实现了盈利增长，而三星却一直难以通过认证测试，因此落后了。
经过一年的延迟，三星于第二季度重新设计了其最新芯片，目前正在努力供应更新版本。这家芯片制造商最近为AMD的下一代MI350X AI加速器交付了HBM3E 12层芯片，缓解了市场对其产品质量的疑虑。这引发了人们对三星可能在今年下半年获得英伟达认证的预期。
据报道，访问期间，Jun还与Nvidia讨论了其下一代HBM4芯片，预计该芯片将于明年上市。
对于第六代 HBM4，三星计划成为业界首家采用 1c DRAM 技术的公司，以期获得竞争优势。SK 海力士和美光科技已分别于 3 月和 6 月向主要客户交付了各自的 HBM4 样品。据报道，他们的产品使用的是基于较旧的 1b 工艺制造的 DRAM 芯片。
Jun 在 3 月份的公司股东大会上表示：“对于 HBM4 和定制 HBM 芯片等新市场，我们将按照计划进行开发和量产，不会重蹈去年的覆辙。”
除了内存芯片，三星还在寻求获得英伟达的代工订单。目前，这家韩国芯片巨头正在为任天堂的下一代 Switch 2 游戏机生产英伟达 Tegra T239 芯片，该芯片采用英伟达的 8 纳米工艺。
Switch 2 取得了商业上的成功，自 6 月份推出以来仅四天就售出了 350 多万台，预计这将有助于提高三星代工业务的盈利能力。
三星目前正寻求赢得英伟达下一代图形处理单元的订单，该单元采用其尖端的 2nm 环绕栅极工艺，计划于今年年底实现量产。
GAA工艺是三星首次开发的晶体管架构，比广泛使用的FinFET设计具有更好的功率效率和性能。
三星于 2022 年开始量产其 3nm GAA 工艺，但初期良率一直不佳，难以吸引客户。此后，该公司已提高 3nm 工艺的良率，目前正致力于提高即将推出的 2nm 工艺的良率。
如果三星能够赢得英伟达的大批量 GPU 订单，它将能够显著改善其财务业绩并增强其在 AI 芯片市场的竞争力。
一位业内人士表示：“获得英伟达作为客户对于引领下一代HBM市场至关重要。随着三星在克服半导体行业低迷方面不断取得进展，其与主要科技公司扩大合作的机会也越来越大。”
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